A félvezető mezőben használt tantalumcsövek

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal Materials Co., Ltd. Kiváló minőségű ritka fémeket szállít, elsősorban a Niobium Hafnium Alloy 103, a Tungsten, a Tantalum, Mély feldolgozott termékek, például hajók, trükkök, porlasztó célok, bevonó célok, megmunkált alkatrészek, magas hőmérsékletű kemence-szigetelő képernyők, fűtési elemek, kemencetestek (fűtési kemencék, izzító kemencék), korrózió-ellenálló berendezések stb.

A tantalum gyártójaként, beszállítójaként és exportőreként nagy tisztaságú, magas hőmérsékletű ellenálló, korrózióálló, repülőgép-, védelmi, katonai és tengeri mérnöki speciális termékeket biztosítunk, aggodalomra ad okot és kedvezőbb árakat! Az ügyfélszolgálat mindig online, tehát nincs gondja.
 

Jellemzők és jellemzők

 

Magas olvadáspont és jó vezetőképesség

A Tantalum olvadási pontja 2996 C fok is, lehetővé téve, hogy stabilan működjön magas hőmérsékletű környezetben. A tantalum kiváló vezetőképességgel rendelkezik, és különféle magas hőmérsékletű vezetőképes alkalmazásokhoz alkalmas félvezető gyártásban.

Kémiai stabilitás és alacsony párolgási sebesség

A tantalum kiváló kémiai stabilitással rendelkezik magas hőmérsékleten, és a legtöbb gáz és folyadék esetében nem könnyen reagál, így alkalmas a korrozív környezetre. A tantalum rendkívül alacsony a párolgási sebességgel magas hőmérsékleten, és vákuumban vagy alacsony nyomású környezetben alkalmazható.

Nagy tisztaság és mechanikai szilárdság

A félvezető gyártáshoz rendkívül magas anyagi tisztaság szükséges, és a tantalumcsöveket általában nagymértékben tisztítják, hogy elkerüljék a félvezető eszközök teljesítményét befolyásoló szennyeződéseket. A tantalum magas mechanikai szilárdsággal rendelkezik, és magas hőmérsékleten ellenáll a mechanikai feszültségnek.

A félvezető chipek gyártásában a tantalumcsövek a precíziós megmunkálás után a porlasztási célok alapszubsztrátjává válnak. A Dongfang Tantalum Industry által termelt 5N5 fokozatú (tisztaság 99,9995%) nagy méretű Tantalum célnyílásokat alkalmaztak a réz-összekapcsolási gátréteg lerakódására a 7NM-es folyamatban, a szemcsék méretét 20 μm-en belül szabályozva, és a film vastagságának egyenletességének nemzetközi vezető szintjét ± 3%. Egy tipikus eset azt mutatja, hogy egy háztartási 12 hüvelykes ostyafab, amely az ilyen típusú célanyagot használja, 12%-kal növelte a chip hozamát, és a célanyag szerviz élettartamát 2,3 -szorosára meghosszabbították a hagyományos titáncélok. Ez a teljesítménynövekedés a tantalum egyedi kristályszerkezetéből fakad - testközpontú köbös rácsja hatékonyan elnyomhatja a réz atom diffúzióját és elkerülheti az áramkör rövidzárlatát.

Az összecsukható telefonokban használt 0,15 mm -es tantalum -kondenzátor megköveteli, hogy a belső ólomcső pedig ellenálljon az 100000 hajlító tesztnek. A Baoji Yixintai által kifejlesztett ultrafinikus tantalum csövet (átmérő 0,8 mm, a falvastagság 0,05 mm) hideg gördülő elektrolitikus polírozási folyamatnak vetik alá, csökkentve a felületi érdességet RA0,1 μm -re, és csökkentve a kapacitor ESR (ekvivalens sorozatú ellenállását) 5 m ω alatt. A Huawei P70 sorozat tényleges tesztadatai szerint ez a technológia 18% -kal javítja a gyors töltési hatékonyságot, és a kapacitáscsökkenési arány kevesebb, mint 2% ezer óránként, magas hőmérsékleti környezetben, 85 fokos magas hőmérsékleten.

A tantalum (4,25 eV) elektronikus munkafunkciója szignifikánsan magasabb, mint a réz (4,0 eV) és a titán (4,1 eV), és a PVD -folyamat során sűrűbb vékony filmszerkezetet lehet előállítani. A kísérleti adatok azt mutatják, hogy a tantalum gátréteg szivárgási áram sűrűsége 1-2 nagyságrenddel alacsonyabb, mint a titán-nitridé, ami döntő jelentőségű a 3D NAND memória közbenső szigetelés szempontjából, a félvezető fokozatú tantalum globális éves igénye körülbelül 800 tonna, de gazdaságilag kihasználható Tantalum érc csak 60%-ot képes kielégíteni.

A félvezető folyamatcsomópontok áttörésével a 3nm alatti csomópontok a tantalumcsövek alkalmazása a hagyományos gátréteg-anyagoktól az élvonalbeli mezőkhöz, például a háromdimenziós integrált termálkezeléshez és a kvantumkészülék-szubsztrátokig terjed. Technikai szinten a nanoporózus tantalumcsövek (porozitás 70% -90%) kialakulása lépett be a pilóta szakaszba, egy specifikus felületi felület 200-300 m ²/g, ami jelentősen javíthatja az atomrétegek lerakódásának (ALD) folyamat prekurzor felhasználási sebességét. A piaci előrejelzések azt mutatják, hogy a félvezetők számára a tantalumcsövek iránti globális kereslet 2025 és 2030 között 11,8% -os összetett éves növekedési ütemben fog bővülni, a heterogén integrált csomagolás több mint 40% -ot.

Érdemes megjegyezni, hogy az Egyesült Államok Energiaügyi Minisztériuma (DOE) által kiadott legfrissebb ásványi lista „rendkívül fontos anyagként” sorolta fel a tantalumot, és stratégiai értéke átalakítja a globális ellátási lánc tájat. Kína várhatóan 2027 -ig eléri a 70% -os hazai helyettesítési arányt a Yichun Tantalum Ore erőforrások és az áttörések integrációjával a 6N szintű tisztítási technológiában.

Népszerű tags: A félvezető mezőben használt tantalumcsövek, a Kína Tantalum csövek, amelyeket a félvezető terepi gyártók, beszállítók, gyárban használtak, Tantalum ötvözet nagy teljesítményű anyagokhoz, Tantalum ötvözet precíziós megmunkáláshoz, Tantalum elektromos energiarendszerekhez, Tantalum magas tisztaságú fém kondenzátorok számára, Tantalum lap nagy stressz környezethez, Tantalum lap ipari célokra